[导读]采取新型热阻加强封装的P2系列表示出超高的电气机能，撑持具有挑战性的高功率利用，坚忍靠得住 英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开辟了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件，致力在打造更环保的电子器件。CGD 本日推出采取新奇的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ，将 GaN 的优势供给给数据中间、逆变器、机电驱动器和其他工业电源等高功率利用。新型 ICeGaN™ P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ，撑持多kW功率利用，并供给超高效力。 ANDREA BRICCONI | CGD 首席商务官 “人工智能的爆炸性增加致使能源耗损的显著增添，促使数据中间系统设计师优先斟酌将 GaN 用在高功率、高效的功率解决方案。CGD这一新系列 GaN 功率 IC 撑持我们的客户和合作火伴在数据中间实现跨越100 kW/机架的功率密度，知足高密度计较的最新 TDP(热设计功率)趋向的要求。在机电节制逆变器方面，开辟人员正在利用 GaN 来削减热量，取得更小、更持久的系统功率。以上两个市场恰是CGD ICeGaN 功率 IC 此刻的方针市场。简化的栅极驱动器设计和下降的系统本钱，再加上进步前辈的高机能封装，使 P2 系列 IC 成为这些利用的绝佳选择。” ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消弭高速开关进程中的江南体育击穿消耗，并实现了0V关断从而最年夜限度地削减反领导通消耗，其机能优在分立 eMode GaN 和其他现有手艺。新的封装供给了低至0.28 K/W的改良的热阻机能，与市场上任何其他产物比力具有相当或加倍优良的机能。其双面 DHDFN-9-1(双散热器 DFN)封装的双极引脚设计有助在优化 PCB 结构和简单并联以实现可扩大性，使客户可以或许轻松处置高达多kW的利用。颠末设计新型封装不但提高了产量，其侧边可湿焊盘手艺，更便在光学查抄。 用户此刻可申请 CGD 新型 P2 系列 ICeGaN 功率 IC 样品。该系列包罗四款 RDS(on) 产物为25 mΩ和55 mΩ，额定电流为60 A和27 A的产物。产物采取10 mm x 10 mm封装 DHDFN-9-1和 BHDFN-9-1(底部散热器DFN)封装。与所有CGD ICeGaN产物一样，P2系列可使用任何尺度 MOSFET 或 IGBT 驱动器进行驱动。 现有2款采取新型 P2 产物演示板可供展现：一款是 CGD 与法国公共研发机构 IFP Energies nouvelles 合作开辟的单相变三相汽车逆变器演示板;另外一款是3kW图腾柱功率因数校订演示板。 新型 P2 系列 ICeGaN™ 产物系列 GaN 功率 IC 和演示板将在2024年6月11日至13日在德国纽伦堡进行的 PCIM 展览上初次公然展现。CGD 的展位号为7-643。接待用户莅临参不雅和领会这些产物。

逆变器是一种可以将直流电转换为交换电的电子装备。它具有可变的输入和输出特征。借助逆变器，汽车电池可用在为通俗家用电器供电。如许，即便没有常规交换电源，也能够在露营地或海滩利用任何家用电器。逆变器的一个常见用处是仅用汽车电...

Jun. 6, 2024 ---- 按照TrendForce集邦咨询最新「全球电动车逆变器市场」数据显示，因受电动车传统淡季影响，2024年第一季全球牵引逆变器装机量为522万套，相较在2023年第四时的714万套，季减...

May 30, 2024 ---- 按照TrendForce集邦咨询研究，NVIDIA Hopper平台H100在本年第一季欠缺景象逐步纾解，属同平台的新品H200在第二季后逐步放量，第三季新平台Blackwell将进入...

人工智能（AI）在处置年夜量资料时，其实相当耗能，供电已经是将来摆布AI成长的主要要害之一，不外，摩根年夜通发布研究陈述指出，AI 数据中间巨量水耗损问题相对被轻忽，2030 年天天用水量可能到达 4.5 亿加仑。

每次与老友碰头时老是免不了谈论之前夸姣的回想,但时候渐长,我们的记忆也逐步恍惚,还电子装备帮忙我们留下陈迹,只是翻找起来有些许麻烦。不外我们却是没有如许的困扰,那是由于我有铁威马NAS,不管甚么时候的照片都能放在nas...