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江南-安森美推出提高数据中心能效的完整电源解决方案

发布日期:2024-06-17 作者:江南

2024年6月6日 - 安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),跟着数据中间为了知足人工智能计较的重大处置需求而变得愈来愈耗电,提高能效变得相当主要。安森美最新一代T10 PowerTrench 系列和EliteSiC 650V MOSFET的壮大组合为数据中间利用供给了一种完全解决方案,该方案在更小的封装尺寸下供给了无与伦比的能效和出色的热机能。 与一般的搜刮引擎要求比拟,搭载人工智能的引擎需要耗损跨越10倍的电力,估计在将来不到两年的时候,全球数据中间的电力需求将到达约1,000太瓦时(TWh)。从电网处处理器,电力需要颠末四次转换来为人工智能要求的处置供给电能,这可能致使约12%的电力消耗。经由过程利用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案,数据中间可以或许削减约1%的电力消耗。假如在全球的数据中间实行这一解决方案,每一年可以削减约10太瓦时的能源耗损,相当在每一年为近百万户家庭供给全年的用电量。 EliteSiC 650V MOSFET供给了出色的开关机能和更低的器件电容,可在数据中间和储能系统中实现更高的效力。与上一代产物比拟,新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半,而且将贮存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均削减了44%。与超等结 (SJ) MOSFET 比拟,它们在关断时没有拖尾电流,在高温下机能优胜,能显著下降开关消耗。这使得客户可以或许在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸,从而周全下降系统本钱。 别的,T10 PowerTrench 系列专为处置对DC-DC功率转换级相当主要的年夜电流而设计,以紧凑的封装尺寸供给了更高的功率密度和出色的热机能。这是经由过程屏障栅极沟槽设计实现的,该设计具有超低栅极电荷和小在 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。另外,软恢复体二极管和较低的 Qrr 有用地削减了振铃、过冲和电气噪声,从而确保了在压力下的最好机能、靠得住性和稳健性。T10 PowerTrench 系列还合适汽车利用所需的严酷尺度。 该组合解决方案还合适超年夜范围运营商所需的严酷的开放式机架 V3 (ORV3) 根基规范,撑持下一代年夜功率处置器。 "人工智能和电气化正在重塑我们的世界,并使电力需求激增。加速功率半导体的立异以改良能效是实现这些手艺年夜趋向的要害,这也恰是安森美负责任地为将来赋能的体例。"安森美电源方案分部总裁Simon Keeton暗示,“我们的最新解决方案可以显著下降能量转换进程中的功率消耗,将对下一代数据中间的需求发生积极的影响。

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