德国汉堡，2024年6月28日：半导体系体例造商Nexperia今天公布，打算投资2亿美元(约合1.84亿欧元)研发下一代宽禁带半导体产物(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，并在汉堡工场成立出产根本举措措施。同时，晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增添。此项投资是在该工场成立100周年之际，与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士配合公布的。 为了知足对高效功率半导体日趋增加的持久需求，Nexperia将从2024年6月最先在德国研发和出产SiC、GaN和Si三种手艺。这一行动充实揭示了Nexperia对电气化和数字化范畴要害手艺的有力撑持。SiC和GaN半导体使数据中间等高功率利用可以或许以超卓的效力运行，同时也是可再生能源利用和电动汽车的焦点构件。这些宽禁带手艺具有庞大的潜力，对实现脱碳方针愈来愈主要。 Nexperia德国首席运营官兼常务董事Achim Kempe暗示：“这项投资巩固了我们作为节能半导体领先供给商的地位，使我们可以或许更负责任地操纵可用电能。将来，我们的汉堡晶圆厂将笼盖全系列的宽禁带半导体，同时还是最年夜的小旌旗灯号二极管和晶体督工厂。我们将继续果断履行我们的计谋，为尺度利用和高耗能利用出产高质量、具有本钱效益的半导体，同时应对我们这一代人面对的最年夜挑战之一：知足日趋增加的能源需求，同时削减对情况的影响。” 第一条高压D-Mode GaN晶体管和SiC二极管出产线已在2024年6月投入利用。下一个里程碑将是成立现代化、经济高效的200毫米SiC MOSFET和GaN HEMT出产线。这些出产线将在将来两年内涵汉堡工场完成。同时，该项投资还将帮忙进一步实现汉堡工场现有根本举措措施的主动化，并经由过程慢慢转向利用200毫米晶圆来扩年夜硅的产能。跟着干净室区域的扩年夜，新的研发尝试室正在扶植中，以确保将来从研究到出产的无缝过渡。 除鞭策手艺前进外，Nexperia估计该行动还可以或许刺激本地经济成长。这些投资对保障和缔造就业机遇和加强欧盟半导体自给自足的能力做出了主要进献。Nexperia与年夜学和研究机构紧密亲密合作，相互分享专业常识并鞭策高本质的员工培训。Nexperia依靠在汉堡和全部欧洲的壮大研产生态系统开辟合作与协作，例如在纳米电子研究中间IMEC的工业同盟打算(IIAP)中，特殊是在氮化镓手艺范畴，阐扬着相当主要的感化。这些和其他合作确保了Nexperia产物实现延续立异并在手艺上具有超卓表示。 Nexperia德国首席财政官兼常务董事Stefan Tilger暗示：“打算中的投资使我们可以或许在汉堡展开宽禁带芯片的设计和出产。但是，SiC和GaN对Nexperia来讲毫不是新范畴。自2019年起，我们的产物组合中就包罗GaN FET，而在2023年，我们还与三菱机电合作，扩大了产物规模，插手了SiC二极管和SiC MOSFET。Nexperia是少数几家可以或许供给全线半导体手艺产物系列的供给商之一，包罗Si、SiC和涵盖了E-mode和D-mode的GaN。这意味着，我们为江南体育客户供给了一站式办事，可以或许知足他们所有的半导体需求。” 此项投资是Nexperia在汉堡洛克施泰奸细厂百年汗青中的又一个主要里程碑。自1924年Valvo Radioröhrenfabrik成立以来，该工场不竭成长，现在为全球约四分之一的小旌旗灯号二极管和晶体管需求供给撑持。自2017年从NXP分拆以来，Nexperia在汉堡工场投入了年夜量资金，员工人数从950人增添到1,600人摆布，并将手艺根本举措措施进级到了最早进的程度。这些延续的投入突显了公司致力在连结行业领先地位并为全球客户供给立异解决方案的决心。

宽带隙半导体材料氮化镓 (GaN) 具有超卓的电气和光学特征，可用在各类电子和光电装备。但是，与其他半导体比拟，其固有热导率较着较低。硅搀杂可以显著影响块状氮化镓 (GaN) 的热导率。

为了知足对碳化硅 (SiC) 晶体日趋增加的需求，世界需要在不牺牲质量的环境下年夜幅提高产量。现在，SiC 晶体对制造更小、更快、更高效的芯片和电力电子系统相当主要。但是，假如没有可以或许和时检测出细小瑕疵的进步前辈计量东西，S...

在电动车成长的进程傍边，充电和换电是两个同时存在的方案。车载充电OBC可以经由过程两相或三相电给汽车充电，但其没法知足快充的需求。此刻充电桩成长敏捷，已有600kW的超充呈现，充电速度愈来愈迫近换电速度，但对电网压力很年夜，...

最近几年来，利用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以年夜功率低消耗为目标二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受注视。这是由于，为了应对全球共通的 “节能化”和“小型化”课题，需要高效力高机能的功率元器件。

这项棕地投资将为本地带来高能效芯片制造能力，助力电气化、可再生能源和人工智能的将来成长 要害字： 功率半导体 碳化硅

ST将在乎年夜利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块年夜范围制造和封测综合基地,在园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全数出产，赋能汽车和工业客户的电气化历程和高能效转型

【2024年5月6日，德国慕尼黑和中国上海讯】作为全球功率系统和物联网范畴的半导体带领者，英飞凌科技股分公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）公布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供给碳化硅（SiC...