[导读]全球功率半导体市场包罗分立元件、模块和集成电路，办事在汽车、工业和消费电子范畴。为了操纵电气化趋向，Carsem 紧密亲密存眷日趋增加的电动汽车(EV) 和可再生能源产物范畴。 全球功率半导体市场包罗分立元件、模块和集成电路，办事在汽车、工业和消费电子范畴。为了操纵电气化趋向，Carsem 紧密亲密存眷日趋增加的电动汽车(EV) 和可再生能源产物范畴。 碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 是宽带隙 (WBG) 半导体中最经常使用的两种材料。SiC 和 GaN 的带隙比传统硅更宽(别离为 3.3eV 和 3.4eV)，这使其在高功率密度和更高频率的利用中具有超卓的机能。Carsem 今朝正致力在开辟需要的工艺、材料和封装解决方案，以知足 WBG 功率半导体市场不竭转变的需求。 Inderjeet Singh 暗示，SiC 和 GaN 功率器件在材料科学和封装手艺方面面对四年夜挑战：热治理、电气机能、靠得住性、本钱和可扩大性。 “一个要害挑战是热治理，特别是对导热性较低的 GaN 而言。这需要经由过程采取热界面材料 (TIM) 和改良封装组装进程中的沉积工艺来实现高效散热。另外，材料和封装材料(如基板、模塑化合物、互连和芯片粘接材料)之间的分歧热膨胀系数 (CTE) 会引发机械应力，从而影响温度轮回时代模块的靠得住性”，Singh 说道。 另外一个挑战是电气机能，特殊是对高压利用。这需要选择可以或许承受强电场的材料，例如具有高相对跟踪指数 (CTI) 的模塑化合物。另外，更快的开关速度需要新的、经济高效的互连手艺来最年夜限度地削减寄生电感。 靠得住性也是一个问题。为了避免靠得住性在 产物生命周期内降落，封装内需要概况钝化和粘合增进剂。最后，本钱和可扩大性带来了挑战。因为汽车制造商凡是采取定制模块设计，是以实现材料范围经济变得坚苦。另外，这些模块缺少尺度化封装，阻碍了它们的采取和集成。 SiC 和 GaN 功率模块 SiC 功率模块是进步前辈的半导体器件，可提高电力电子系统的机能。它们操纵碳化硅的优胜属性，包罗更高的导热性、更高的能源效力和与硅基解决方案比拟在更高电压和温度下运行的能力。这些特征使 SiC 功率模块成为电动汽车、可再生能源系统和工业装备的抱负选择，有助在最年夜限度地削减能源损掉、提高功率密度和提高系统效力。 GaN 电源模块代表了尖端半导体器件，可为电力电子供给显著的机能晋升。氮化镓的特征使这些模块可以或许在更高的频率、电压和温度下以比传统硅基模块更高的效力运行。这意味着最年夜限度地削减能量损掉、加速开关速度，并开辟更小、更轻的电源系统。GaN 电源模块在快速充电器、数据中间、电动汽车和可再生能源系统等利用中具有非凡优势，有助在提高功率密度、效力和整系统统机能。 Singh 暗示，固然客户江南体育偏好(集成装备制造商或无晶圆厂公司)终究决议了他们特定产物的选择，但以下身分为明智的决议计划供给了框架。 材料特征和利用要求 · 电压和温度：因为 SiC 具有宽带隙和优良的热导率，是以在高压(600V 以上)和高温情况中表示超卓。这使其成为电动汽车逆变器、工业机电驱动器和电源等利用的抱负选择，这些利用合用在数据中间、航空航天和军事利用等要求严苛的情况中，在这些情况中，卑劣前提下的靠得住性相当主要。 · 开关速度：GaN 具有更高的电子迁徙率，这意味着更快的开关速度。这一特征在需要高频操作的利用中很是有益，例如快速充电器、电源适配器和 DC-DC 转换器。但是，SiC 在可接管中等开关速度的利用中愈来愈受接待，由于它的其他特征也带来了显著的优势。 成熟度和本钱 · 制造成熟度：与 GaN 比拟，SiC 手艺具有更成熟的年夜范围制造根本。这意味着可用性更高，本钱更低。 · 本钱和可扩大性：GaN 凡是被认为比 SiC 更廉价，并且延续的开辟工作正在鞭策该手艺向更高电压利用成长。另外，GaN 还具有更好的可扩大性，是以对本钱效益相当主要的利用来讲，它具有吸引力。 为汽车行业供给手艺助力 Carsem 对汽车行业的许诺经由过程其 TUV16949 认证可见一斑。该认证注解该公司已知足 TUV16949 尺度的严酷要求，该尺度是专为开辟汽车行业量身定制的质量治理系统而设计的手艺规范。 针对合适更严酷的 AEC-Q100 和 AEC-Q101 尺度的产物，还采取了额外的质量节制办法，这些办法超出了传统商用装备的要求。 “对合适 AEC-Q100 尺度的 IC，Carsem 在后模固化阶段后实行热轮回。另外，全部组装进程中的所有查抄门都颠末 100% 主动光学查抄 (AOI)。最后，装备要颠末温度测试，直到它们在封装或产物层面呈现故障”，Singh 说道。 他随后弥补道：“对合适 AEC-Q101 尺度的分立半导体，Carsem 将晶圆级老化与前面提到的后模固化后的热轮回、所有装配查抄门的 100% AOI 和温度测试连系起来，直到封装或产物掉效”。 瞻望将来 Carsem 一向致力在知足功率半导体市场在工艺、材料和封装方面的所有根基要求，此中包罗 SiC 和 GaN 等宽带隙半导体。但是，为了在将来几年连结这一地位，必需斟酌新兴手艺和材料前进对 SiC 和 GaN 功率模块的影响。 据 Singh 介绍，Carsem 重点存眷两个要害范畴：手艺倾覆和计谋方针。 潜伏的手艺中止 · 夹杂模块(IGBT/SiC、SiC/GaN)：IGBT 与 SiC 或 SiC 与 GaN 等互补 WBG 材料的集成具有潜伏的机能优势。阐发此类夹杂模块的可行性和集成挑战对 Carsem 来讲相当主要。 · 热界面材料和导热系数更高的模具材料：SiC 和 GaN 器件会发生年夜量热量，需要高效的散热。摸索进步前辈的热界面材料和导热系数更高的模具材料对提高封装机能相当主要，特别是对 GaN 功率模块。 · 无源器件单片集成：将无源器件(电容器和电感器)直接集成在电源模块封装内，具有潜伏的尺寸和机能优势。Carsem 在集成无源器件方面具有丰硕的经验(跨越 10 年)，这使该公司可以或许充实操纵这一趋向。 Carsem 的计谋方针 · SiC 晶片：采取更年夜直径的 SiC 晶片(200 毫米)可以提高本钱效益和产量。研究向 200 毫米 SiC 晶片过渡所带来的挑战和机缘对 Carsem 将来的竞争力相当主要。 · 提高 SiC 晶圆的切割产量：因为材料的硬度，SiC 晶圆的切割面对着怪异的挑战。开辟可以或许提高产量同时连结切割质量的手艺对确保高效出产 SiC 功率器件相当主要。 经由过程积极应对这些潜伏的干扰并在这些范畴进行计谋投资，Carsem 旨在巩固其在组装封装和测试范畴的 WBG 立异范畴的带领地位。

上海2024年8月23日 /美通社/ -- 近日，富士胶片第二十七届戈壁绿化步履再度出发，由富士胶片（中国）投资有限公司（以下简称 富士胶片（中国） ）工会倡议，工会会员和联系关系公司员工构成的戈壁绿化志...

6月25日，HKCERT公布全新“中国香港收集平安变乱调和中间”并进行启动仪式，新名称更能彰显HKCERT的办事主旨和规模，借以晋升中国香港各界，特殊是中小企和市平易近对HKCERT的熟悉。