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江南-意法半导体第四代碳化硅功率技术问世:为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制

发布日期:2024-10-11 作者:江南

[导读]2024年9月27日,中国– 办事多重电子利用范畴、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券买卖所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 手艺。第四代手艺有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在知足汽车和工业市场需求的同时,意法半导体还针对电动汽车电驱系统的要害部件逆变器特殊优化了第四代手艺。公司打算在 2027 年前推出更多进步前辈的 SiC 手艺立异功效,实行立异许诺。 •到 2025 年,750V 和 1200V两个电压品级的产物将实现量产,将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩大到中型和紧凑车型。 •到 2027 年,ST 打算推出多项碳化硅手艺立异,包罗一项冲破性立异。 2024年9月27日,中国– 办事多重电子利用范畴、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券买卖所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 手艺。第四代手艺有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在知足汽车和工业市场需求的同时,意法半导体还针对电动汽车电驱系统的要害部件逆变器特殊优化了第四代手艺。公司打算在 2027 年前推出更多进步前辈的 SiC 手艺立异功效,实行立异许诺。 意法半导体摹拟、功率与分立器件、MEMS 和传感器产物部(APMS)总裁 Marco Cassis 暗示:“意法半导体许诺为市场供给尖真个碳化硅手艺,鞭策电动汽车和高能效工业的将来成长。我们将继续在器件、进步前辈封装和电源模块方面立异,推动 SiC MOSFET 手艺成长。连系供给链垂直整合制造计谋,我们经由过程供给行业前沿的 SiC 手艺、打造富有韧性的供给链,以知足客户日趋增加的需求,并为更可延续的将来做出进献。” 作为 SiC 功率 MOSFET 的市场领跑者,意法半导体正在进一步推动手艺立异,以充实操纵 SiC能效和功率密度比硅基器件更高的长处。最新一代 SiC 器件旨在改良将来电动汽车电驱逆变器平台,进一步释放小型化和节能潜力。虽然电动汽车市场不竭增加,但要实现普遍利用仍面对挑战,汽车制造商正在摸索推出通俗消费者都能买得起的电动汽车。基在 SiC 的 800V电动汽车平台电驱系统实现了更快的充电速度,下降了电动汽车的重量,有助在汽车制造商出产续航里程更长的高端车型。意法半导体的新 SiC MOSFET 产物有750V 和 1200V两个电压品级,可以或许别离提高 400V 和 800V 电动汽车平台电江南体育驱逆变器的能效和机能。中型和紧凑车型是两个主要的汽车细分市场。将 SiC的手艺优势下探到这两个市场,有助在让电动汽车被普罗公共接管。除电车外,新一代SiC手艺还合用在各类年夜功率工业装备,包罗太阳能逆变器、储能解决方案和数据中间等日趋增加的利用,帮忙其显著提高能源效力。

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