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发布日期：2024-07-22 作者：江南
· 最新一代 EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化利用的关断消耗下降多达 50% · 该平台采取颠末现实验证的平面架构，以怪异体例下降了导通消耗和开关消耗 · 与安森美 (onsemi) 智能电源产物组合搭配利用时，EliteSiC M3e 可以供给更优化的系统方案并缩短产物上市时候 · 安森美公布打算在 2030 年前加快推出多款新一代碳化硅产物 中国上海 - 2024 年 7 月 19 日 - 面临不竭进级的天气危机和急剧增加的全球能源需求，世界各地的当局和企业都在为弘大的天气方针而联袂尽力，致力在减轻情况影响，实现可延续将来。此中的要害在在推动电气化转型以削减碳排放，并积极操纵可再生能源。为加快告竣这个全球转型方针，安森美(纳斯达克股票代号：ON)推出了最新一代碳化硅手艺平台 EliteSiC M3e MOSFET，并打算将在 2030 年前推出多代新产物。 安森美电源方案事业群总裁 Simon Keeton 暗示：“电气化的将来依靠在进步前辈的功率半导体，而电源立异对实现全球电气化和禁止天气转变相当主要。假如电源手艺没有重年夜立异，现有的根本举措措施将没法知足全球日趋增加的智能化和电气化出行需求。我们正在积极鞭策手艺立异，打算到 2030 年年夜幅晋升碳化硅手艺的功率密度，以知足日趋增加的能源需求，并助力全球电气化转型。” 在这一进程中，EliteSiC M3e MOSFET 将阐扬要害感化，以更低的千瓦本钱实现下一代电气系统的机能和靠得住江南体育性，从而加快普和电气化并强化实行结果。因为可以或许在更高的开关频率和电压下运行，该平台可有用下降电源转换消耗，这对电动汽车动力系统、直流快速充电桩、太阳能逆变器和储能方案等普遍的汽车和工业利用相当主要。另外，EliteSiC M3e MOSFET 将增进数据中间向更高效、更高功率改变，以知足可延续人工智能引擎指数级增加的能源需求。 可托赖平台实现效力代际奔腾 凭仗安森美怪异的设计和制造能力，EliteSiC M3e MOSFET 在靠得住且颠末现实验证的平面架构上显著下降了导通消耗和开关消耗。与前几代产物比拟，该平台可以或许将导通消耗下降 30%，并将关断消耗下降多达 50%。经由过程耽误 SiC 平面 MOSFET 的寿命并操纵 EliteSiC M3e 手艺实现超卓的机能，安森美可以确保该平台的坚忍性和不变性，使其成为要害电气化利用的首选手艺。 EliteSiC M3e MOSFET 还供给超低导通电阻 (RSP) 和抗短路能力，这对占有 SiC 市场主导地位的主驱逆变器利用来讲相当主要。采取安森美进步前辈的分立和功率模块封装，1200V M3e 裸片与之前的 EliteSiC 手艺比拟，可以或许供给更年夜的相电流，使划一尺寸主驱逆变器的输出功率晋升约 20%。换句话说，在连结输出功率不变的环境下，新设计所需的 SiC 材料可以削减 20%，本钱更低，而且可以或许实现更小、更轻、更靠得住的系统设计。 另外，安森美还供给更普遍的智能电源手艺，包罗栅极驱动器、DC-DC 转换器、电子保险丝等，并都可与 EliteSiC M3e 平台共同利用。经由过程这些安森美优化和协同设计的功率开关、驱动器和节制器的端到端一体化手艺组合，可实现多项进步前辈特征集成，并下降整系统统本钱。 加快将来电源手艺成长 将来十年，全球能源需求估计会急剧增添，是以提高半导体的功率密度变得相当主要。安森美正积极遵守其碳化硅手艺成长蓝图，从裸片架构到新型封装手艺周全引领行业立异，以此延续知足行业对更高功率密度的需求。 每代新的碳化硅手艺城市优化单位布局，以在更小的面积上高效传输更年夜的电流，从而提高功率密度。连系公司自有的进步前辈封装手艺，安森美能最年夜化晋升机能并减小封装尺寸。经由过程将摩尔定律引入碳化硅手艺的开辟，安森美可以并行研发多代产物，从而加快实现其成长线路图，以在 2030 年前加快推出多款 EliteSiC 新产物。 “凭仗数十年来在功率半导体范畴堆集的深挚经验，我们不竭冲破工程和制造能力的鸿沟，以知足全球日趋增加的能源需求。“安森美电源方案事业群手艺营销高级总监 Mrinal Das 暗示，”碳化硅的材料、器件和封装手艺之间存在很强的彼此依靠性。对这些要害环节的完全掌控，使安森美可以或许更好地掌控设计和制造进程，从而更快地推出新一代产物。” EliteSiC M3e MOSFET 采取行业尺度的 TO-247-4L 封装，样品现已上市。
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